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亞成微AC-DC電源管理芯片產(chǎn)品線覆蓋原邊反饋、副邊反饋、同步整流等功能產(chǎn)品，通過內(nèi)置或外置功率器件來實現(xiàn)電流的快速開關(guān)和控制，全線產(chǎn)品滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)。
| 產(chǎn)品型號 | 功能特點 | 典型功率 | 功率器件 | 最大頻率 | 封裝形式 |
|---|---|---|---|---|---|
| RM6514S | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 18W/24W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6515D | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 18W/24W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6517D | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 30W/36W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | DIP-7 |
| RM6510T | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6500SA | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6522SA | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 15W/18W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6500S | CCM/QR、六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6526D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 25W/30W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6523D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 18W/20W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6522D | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 12W/15W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | DIP-7 |
| RM6524SAL | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6524SA | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SAL | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 65kHz | SOP-7 |
| RM6523SAH | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6523SA | 內(nèi)置?壓MOS QR/?底開通模式 ?壓VCC | 20W/25W | 內(nèi)置MOS | 100kHz | SOP-7 |
| RM6528NS | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 20W/25W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | ESOP-8 |
| RM6524NDH | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 45W/50W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6524ND | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 35W/45W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | DFN5*6 |
| RM6522ND | 內(nèi)置?壓GaNFET QR/?底開通模式 | 60W/65W | 內(nèi)置GaN | 100kHz | DFN8*8 |
| RM6520SDQ | ?壓啟動 ?壓VCC QR/?底開通模式 | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520NDQ | ?壓啟動 ?壓VCC QR/?底開通模式 | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOP-8 |
| RM6520SL | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOP-8 |
| RM6520TN | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置GaN | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6604NDQ | 高壓啟動，QR，內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動器，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 36W/40W | 內(nèi)置GaN | 130kHz | DFN5*6 |
| RM6602NDQ | 高壓啟動，QR，內(nèi)置高壓GaNFET,集成GaN驅(qū)動器，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 65W/70W | 內(nèi)置GaN | 130kHz | DFN8*8 |
| RM6601NDQ | 高壓啟動，QR,集成GaN驅(qū)動器，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 100W/100W | 外置GaN | 130kHz | SOP-8 |
| RM6520TL | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 65kHz | SOT23-6 |
| RM6520T | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 100kHz | SOT23-6 |
| RM6520S | ?壓VCC ， QR/?底開通模式，六級能效標(biāo)準(zhǔn) | 120W/120W | 外置MOS | 100KHZ | SOP-8 |